9月26日，信电学院赵毅教授课题组关于高性能锗沟道场效应晶体管的3篇论文被2016 IEEE国际电子器件会议IEDM（International Electron Devices Meeting）接收。IEDM是微电子领域的顶级会议，有着60多年的历史，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛影响。2016 IEDM会议将于12月3日至12月7日在美国San Francisco召开。微电子学院叶志老师在IEDM 2013上发表浙江大学第一篇IEDM文章后，这次又有三篇IEDM论文成功入选，尤其是李骏康同学的论文是浙江大学首次以学生为第一作者在IEDM上发表论文，表明浙大微电子的科研能力和人才培养水平又上了一个新的台阶。

作为大规模集成电路的核心器件，场效应晶体管（MOSFET）性能的进一步提升需要引入新材料和新结构。与传统的硅（Si）相比，锗（Ge）同时具有很高的电子和空穴迁移率，被认为很有希望取代Si作为下一代CMOS器件的沟道材料。其中，对于Ge/high-k栅极缺陷的详细表征及进一步提升Ge沟道CMOS性能和可靠性是Ge MOSFET实用化必须解决的关键所在，也是目前亟需探索的领域。赵毅教授课题组近年来一直围绕这些关键问题开展研究，已在IEEE Transaction on Electron Devices， IEEE Electron Device Letters等权威杂志上发表多篇论文。这次三篇论文被2016 IEEE IEDM接收，表明课题组这几年在Ge基器件方面的深入研究取得了一定的成效，得到了国内外同行的认可和关注。

另外，课题组博士后玉虓在日本东京大学期间发表于2015年IEDM 的论文“Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2nm”被评为IEDM 2015最佳学生论文（Roger A. Haken Best Student Paper Award）。该奖项也将在IEDM 2016会上颁发。