目前国外的根特大学、AIDI、PECST、A*Star等,国内的微系统所、浙江大学、半导体所等单位均有对SOI基AWG的报导。我们也在这一领域进行了相关的研究,研究方法为:利用传输矩阵法和有限时域差分方法模拟计算阵列波导光栅的结构;通过电子束曝光和等离子体感应耦合刻蚀等工艺制作SOI片上的阵列波导光栅器件。
如图1所示为EPIC组设计和制作的AWG元件,其中左侧为显微镜视图,右侧为该器件的8通道测试曲线。我们在结构上优化设计阵列波导光栅,采用快速收敛的抛物线型模斑转换结构连接平板波导和单模波导,使相邻通道间的耦合减小,以达到减小串扰,优化性能的效果。我们在简单的单层刻蚀工艺下,制作出了性能优良的8路循环式AWG器件,具有400GHz信道间隔、2.2nm峰值半宽、最小2.4dB的损耗和-17.5dB~-25.1dB的串扰,器件性能达到国际一流水平。相关论文发表于2014年美国光学学会期刊Optics Express[1]。
[1] Tong Ye, Yunfei Fu, Lei Qiao, and Tao Chu, “Low-crosstalk Si arrayed waveguide grating with parabolic tapers,” Opt. Express. 22(26), 31899–31906 (2014).
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